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產品名稱：THERMOCERA日本晶圓級石墨烯合成器
產品型號：nanoCVD-WPG
產品廠商：THERMOCERA日本K.K
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簡單介紹：

晶圓尺寸的熱CVD/等離子CVD系統基板尺寸：Φ3inch或Φ4inch ? 型號。 nanoCVD-WG （熱CVD） ? 型號。 nanoCVD-WGP（等離子CVD）

詳情介紹：

nanoCVD-WG“CVD法”（化學氣相沉積）

CVD法是一種穩定的技術，已經建立起來用于多種用途，是未來考慮石墨烯和碳納米管大規模合成時*現實的方法。開發商Moorfield Nanotechnology與英國國家研究所合作，反復驗證了這種沉積實驗裝置。在研究機構的合作下，已經驗證了利用拉曼光譜、SEM、AFM等分析數據可以生產出高質量的石墨烯和CNT Mr./Ms.。

nanoCVD-WPG“等離子體增強型CVD”

反應迅速，雜質被抑制。它是一種更快、高通量的CVD合成方法，可在等離子體的幫助下獲得清潔、高質量的石墨烯。

特征

緊湊型設計：590 （W） x 590 （D） x 1050 （H） mm
Φ3英寸或Φ4英寸晶圓級石墨烯合成
13.56MHz RF 150W 等離子電源（典型值）
PCB加熱階段 *大1100°C
冷壁法熱CVD
全自動PLC自動順序控制
用戶友好的 7 英寸觸摸屏 HMI
多沉積配方配準，手動/自動操作

參考規格

*本設備為定制產品。我們將在討論規格后提出建議。
以下設備配置僅供參考。

A. 主要規格

1.反應室室	適用于 MiniLab-026 26l 容積 SUS304 水冷式
2.加熱階段	陶瓷（氧化鋁或氮化鋁，BN）
3. 對應樣本量	Φ3英寸或Φ4英寸
4.加熱階段（帶隔熱罩）	C/C復合或SiC涂層加熱器 *高1100°C
5.溫度控制	包括K型熱電偶標準（安裝在加熱階段下方）

B. 過程控制設備規格

1.氣體控制	多達 4 個質量流量控制器（Ar、H2、CH4 等）
2.壓力控制	20托爾 F.S.
3.真空排氣	Edwards 渦輪分子泵 nEXT85D 包括 Edwards 干渦旋泵 nXDS10i（10m3/hr）
4.操作面板	前置 7 英寸觸摸屏
5.風冷	用于機柜內部冷卻的冷卻風扇
6.控制系統	PLC自動過程控制

C. 軟件（標準附件）

4. 用于 Windows PC 連接的 IntelliLink 遠程軟件
1. IntelliDep nanoCVD 軟件	包括標準（安裝石墨烯的標準程序）
2. 接口	USB 2.0 連接
3. 設置數量	*多可編程和保存 30 個配方，30 個步驟

D. 進氣口連接規格

1. 工藝氣體	3 x Ar、H2、CH4 1/4“ 世偉洛克管連接
2.載氣	N2，或氬φ6mm推鎖管連接 x 1

E. **裝置

1.過熱	由加熱級安裝熱電偶控制
2. 機柜內部過熱	從內部熱開關
3.氣壓異常	來自質量流量控制器
4.降低真空度	來自真空傳感器

F. 公用事業

權力	AC200V 單相 50/60Hz 13A
1. 工藝氣體壓力	*大 30psi 200sccm
2.載氣壓力	60-80磅/平方英寸

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產品名稱：THERMOCERA日本晶圓級石墨烯合成器