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- COSMO科斯莫檢漏儀
- SAMJUNG禪才離子風棒
- SUMITA住田光纖
- HAYASHI林時計光纖光源
- METROL美德龍
- VALQUA華爾卡配管部品
- CHINO千野溫濕度計
- HIKARIYA光屋檢查燈
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- SOLAX/SERIC索納克...
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- ONOSOKKI小野編碼器
- ELMEX安科生物涂抹棒
- AxoScan美國
- MITSUI ELECTRI...
- FUJICOM富士
- HAYASHI林時計
- Navitar納維塔爾鏡頭
- KANETEC強力脫磁裝置
產品詳情
簡單介紹：
晶圓尺寸的熱CVD/等離子CVD系統
基板尺寸：Φ3inch或Φ4inch
? 型號。 nanoCVD-WG （熱CVD）
? 型號。 nanoCVD-WGP（等離子CVD）
詳情介紹：
nanoCVD-WG“CVD法”（化學氣相沉積）
CVD法是一種穩定的技術，已經建立起來用于多種用途，是未來考慮石墨烯和碳納米管大規模合成時*現實的方法。 開發商Moorfield Nanotechnology與英國國家研究所合作，反復驗證了這種沉積實驗裝置。 在研究機構的合作下，已經驗證了利用拉曼光譜、SEM、AFM等分析數據可以生產出高質量的石墨烯和CNT Mr./Ms.。
nanoCVD-WPG“等離子體增強型CVD”
反應迅速，雜質被抑制。 它是一種更快、高通量的CVD合成方法，可在等離子體的幫助下獲得清潔、高質量的石墨烯。
特征
- 緊湊型設計：590 （W） x 590 （D） x 1050 （H） mm
- Φ3英寸或Φ4英寸晶圓級石墨烯合成
- 13.56MHz RF 150W 等離子電源（典型值）
- PCB加熱階段 *大1100°C
- 冷壁法熱CVD
- 全自動PLC自動順序控制
- 用戶友好的 7 英寸觸摸屏 HMI
- 多沉積配方配準，手動/自動操作
參考規格
*本設備為定制產品。 我們將在討論規格后提出建議。
以下設備配置僅供參考。
A. 主要規格
| 1.反應室室 |
適用于 MiniLab-026 26l 容積 SUS304 水冷式 |
|---|---|
| 2.加熱階段 |
陶瓷（氧化鋁或氮化鋁，BN） |
| 3. 對應樣本量 |
Φ3英寸或Φ4英寸 |
| 4.加熱階段（帶隔熱罩） |
C/C復合或SiC涂層加熱器 *高1100°C |
| 5.溫度控制 |
包括K型熱電偶標準（安裝在加熱階段下方） |
B. 過程控制設備規格
| 1.氣體控制 |
多達 4 個質量流量控制器（Ar、H2、CH4 等） |
|---|---|
| 2.壓力控制 |
20托爾 F.S. |
| 3.真空排氣 |
Edwards 渦輪分子泵 nEXT85D 包括 Edwards 干渦旋泵 nXDS10i（10m3/hr） |
| 4.操作面板 |
前置 7 英寸觸摸屏 |
| 5.風冷 |
用于機柜內部冷卻的冷卻風扇 |
| 6.控制系統 |
PLC自動過程控制 |
C. 軟件（標準附件）
| 1. IntelliDep nanoCVD 軟件 |
包括標準（安裝石墨烯的標準程序） |
|---|---|
| 2. 接口 |
USB 2.0 連接 |
| 3. 設置數量 |
*多可編程和保存 30 個配方，30 個步驟 |
| 4. 用于 Windows PC 連接的 IntelliLink 遠程軟件 |
D. 進氣口連接規格
| 1. 工藝氣體 |
3 x Ar、H2、CH4 1/4“ 世偉洛克管連接 |
|---|---|
| 2.載氣 |
N2，或氬φ6mm推鎖管連接 x 1 |
E. **裝置
| 1.過熱 |
由加熱級安裝熱電偶控制 |
|---|---|
| 2. 機柜內部過熱 |
從內部熱開關 |
| 3.氣壓異常 |
來自質量流量控制器 |
| 4.降低真空度 |
來自真空傳感器 |
F. 公用事業
| 權力 |
AC200V 單相 50/60Hz 13A |
|---|---|
| 1. 工藝氣體壓力 |
*大 30psi 200sccm |
| 2.載氣壓力 |
60-80磅/平方英寸 |
產品留言
